IPS FTB07N08N

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	IPS
Verpackung/Case	TO-263-2
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	4572pF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2V
Gate-Ladung (Qg)	74.4nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	120A
Rückübertragungskapazität (Crss)	253pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	85V
Pd - Verlustleistung	208W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	6mΩ@10V,60A

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