IPS FTP02N04NA

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	IPS
Verpackung/Case	TO-220
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	14360pF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1V
Gate-Ladung (Qg)	250nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	300A
Rückübertragungskapazität (Crss)	950pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Pd - Verlustleistung	312.5W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	1.8mΩ@10V,100A

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