GL GL10N10B4S

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	GL
Verpackung/Case	TO-252-2
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	255pF@50V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.5V
Gate-Ladung (Qg)	4nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	10A
Rückübertragungskapazität (Crss)	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	40W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	110mΩ@10V,10A

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