GL GL80N10A4

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	GL
Verpackung/Case	TO-252-2
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	4.2nF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1V
Gate-Ladung (Qg)	65nC
Dauerstrom Drain (Id)	80A
Rückübertragungskapazität (Crss)	23pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	125W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	7.2mΩ@10V,40A

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