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メモリ（IC）（45,377）
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ブロック消去時間(tBE)
プログラム/消去サイクル
スタンバイ電源電流
ページプログラム時間(TPP)
インターフェース
メモリサイズ
クロック周波数
電源電圧
書き込みサイクル耐久性
書き込みサイクル時間(tWC)
データ保持-TDR(年)
メモリ形式
動作温度
特徴
リフレッシュ電流
電源電流
構成
読み取り速度inシーケンス
ランダム読み取り(IOPS)
ランダム書き込み(IOPS)
スリープモード電流（Izz）
書き込み速度inシーケンス
NAND動作電圧(VCCF)
コントローラ動作電圧(VCCQ)
アクセス時間
NAND待機電流
コントローラ待機電流
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Certifications:
ISO 9001:2015
ISO 14001:2015