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IGBT阵列（12）
制造商
封装
Td(导通)
Td(关断)
栅极电荷(Qg)
输入电容(Cies)
输出电容(Coes)
反向恢复时间(trr)
反向传输电容(Cres)
IGBT类型
Pd - 功耗
集电极电流(Ic)
集电极-发射极击穿电压(Vces)
栅极-发射极阈值电压(Vge(th)@Ic)
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Certifications:
ISO 9001:2015
ISO 14001:2015