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Shenzhen Developer Microelec. DP3080C

制造商料号:

DP3080C

制造商:

封装:

TO-252

数据手册:

产品描述:

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规格

产品详情

类型	产品描述	选择
分类	单个FET、MOSFET
制造商	Shenzhen Developer Microelec.
封装	TO-252
漏源电压	30V
工作温度-	-55℃~+150℃
连续漏极电流(Id)	80A
栅极阈值电压(Vgs(th))	1.3V
反向传输电容(Crss@Vds)	225pF
数量	1 N-channel
RDS(on)	3.6mΩ@10V
栅极电荷(Qg)	48nC@10V
Ciss-输入电容	2.216nF
Pd - 功耗	75W

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