Hangzhou Silan Microelectronics SJT13009NT

类型	产品描述	选择
分类	三极管(BJT)
制造商	Hangzhou Silan Microelectronics
封装	TO-220
Operating Temperature	-
特征频率(fT)	4MHz
集射极击穿电压(Vceo)	400V
DC Current Gain	15@3A,5V
集电极电流(Ic)	12A
集射极饱和电压(VCE(sat))	1V
晶体管类型	NPN
耗散功率(Pd)	100W
集电极截止电流(Icbo)	100uA

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