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货币：USD
USDCNYEURJPYKRW
单个IGBT（3,346）
制造商
封装
Pd - 功耗
集电极截止-关断电流(Ices@Vce)
类型
电源电压
电压-隔离
开关频率
漏源电压
高-侧偏置电压(Vbs)
连续漏极电流(Id)
Td(导通)
Td(关断)
IGBT类型
栅极电荷(Qg)
开通能量（Eon）
工作温度
开关能量(Eoff)
输入电容(Cies)
输出电容(Coes)
反向恢复时间(trr)
脉冲电流-正向(Ifm)
反向传输电容(Cres)
集电极-发射极击穿电压(Vces)
栅极-发射极阈值电压(Vge(th)@Ic)
输入电容(Ciss)
输出电容(Coss)
栅极阈值电压(Vgs(th))
反向传输电容(Crss@Vds)
订阅
Certifications:
ISO 9001:2015
ISO 14001:2015