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USDCNYEURJPYKRW
GaN-Transistoren (GaN HEMT)（165）
Hersteller
Verpackung/Case
Technologie
Qg - Gesamtladung
Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Transistorpolarität
Schwellenspannung G-S
Ciss - Eingangskapazität
Coss - Ausgangskapazität
Kontinuierlicher Drainstrom
Durchlasswiderstand (RDS(on))
Drain-Source Durchbruchspannung
Crss - Rückübertragungskapazität
Ergebnisse filtern: 165
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ISO 9001:2015
ISO 14001:2015