GOFORD 18N10

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	GOFORD
Verpackung/Case	TO-252-2
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.318nF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3V
Gate-Ladung (Qg)	28nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	25A
Rückübertragungskapazität (Crss)	20pF@50V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	62.5W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	63mΩ@4.5V,8A

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