ROHM Semicon 2SB1132T100R

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	ROHM Semicon
Verpackung/Case	TO-243AA
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Transitfrequenz (fT)	150MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	32V
DC Current Gain	120@0.1A,3V
Kollektorstrom (Ic)	1A
Sättigungsspannung VCE(sat)	200mV
Transistortyp	PNP
Pd - Verlustleistung	2W
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	500nA

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