MSKSEMI 2SD1164 DAR

Hersteller-Teilenummer:

2SD1164 DAR

Hersteller:

MSKSEMI

Verpackung/Case:

SOT-89

Datenblatt:

2SD1164 DAR

Beschreibung:

32V 500mW 180@100mA,3V 1A NPN SOT-89 Bipolar (BJT) ROHS

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Spezifikationen

Produktdetails

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	MSKSEMI
Verpackung/Case	SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	32V
DC Current Gain	180@100mA,3V
Kollektorstrom (Ic)	1A
Transistortyp	NPN
Pd - Verlustleistung	500mW

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