NEC 2SJ606-ZK-E1-AY

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	NEC
Verpackung/Case	TO-220SMD
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	4.8nF@10V
Typ	1 piece P-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	-
Gate-Ladung (Qg)	120nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	83A
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Pd - Verlustleistung	120W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	15mΩ@10V,42A

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