AGM-Semi AGM056N10A

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	AGM-Semi
Verpackung/Case	PDFN-8(5x6)
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	3.1nF@40V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.2V
Gate-Ladung (Qg)	43nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	100A
Rückübertragungskapazität (Crss)	26pF@40V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	113W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	4.7mΩ@4.5V,15A

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