UNI-SEMIC APG180N10K

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	UNI-SEMIC
Verpackung/Case	TO-252
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.05nF@50V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.5V
Gate-Ladung (Qg)	13.9nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	50A
Rückübertragungskapazität (Crss)	3.5pF@50V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	68W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	15mΩ@10V,20A

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