ASDsemi ASDM60N80KQ-R

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	ASDsemi
Verpackung/Case	TO-252-3
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	3.36nF@30V
Typ	-
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3V
Gate-Ladung (Qg)	90nC
Dauerstrom Drain (Id)	80A
Rückübertragungskapazität (Crss)	209pF@30V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Pd - Verlustleistung	108W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	6mΩ@10V,30A

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