FUXINSEMI BC857BDW

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	FUXINSEMI
Verpackung/Case	SOT-363
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Transitfrequenz (fT)	200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	45V
DC Current Gain	400@2mA,5V
Kollektorstrom (Ic)	200mA
Sättigungsspannung VCE(sat)	650mV
Transistortyp	PNP
Pd - Verlustleistung	300mW
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	15nA

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