Tokmas CI60N120SM4

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	SiC-MOSFETs
Hersteller	Tokmas
Verpackung/Case	TO-247-4L
Kontinuierlicher Drainstrom	60A
Schwellenspannung G-S	2.5V
Encapsulated Type	Single Tube
Pd - Verlustleistung	330W
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Konfiguration	-
Kanaltyp	1 N-channel
Qg - Gesamtladung	160nC
Drain-Source Durchbruchspannung	1200V
Ciss - Eingangskapazität	3550pF
Crss - Rückübertragungskapazität	29pF
Durchlasswiderstand (RDS(on))	45mΩ@20V

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