Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N65FA9HD

Hersteller-Teilenummer:

CS4N65FA9HD

Hersteller:

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

Verpackung/Case:

TO-220F

Datenblatt:

CS4N65FA9HD

Beschreibung:

650V 4A 2.5Ω@10V,2A 30W 4V 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS

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Spezifikationen

Produktdetails

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
Verpackung/Case	TO-220F
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Dauerstrom Drain (Id)	4A
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	30W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	2.5Ω@10V,2A

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