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Diodes Incorporated DMG6602SVT-7

Hersteller-Teilenummer:

DMG6602SVT-7

Hersteller:

Diodes Incorporated

Verpackung/Case:

TSOT-23-6

Datenblatt:

DMG6602SVT-7

Beschreibung:

30V 140mΩ@4.5V,3A 800mW 2.3V 1 N-Channel + 1 P-Channel TSOT-23-6 MOSFETs ROHS

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Spezifikationen

Produktdetails

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Diodes Incorporated
Verpackung/Case	TSOT-23-6
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	420pF@15V
Typ	1 N-Channel + 1 P-Channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.3V
Gate-Ladung (Qg)	9nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	-
Rückübertragungskapazität (Crss)	80pF@15V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Pd - Verlustleistung	800mW
Durchlasswiderstand (RDS(on))	140mΩ@4.5V,3A

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