DOINGTER DOP18N20

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	DOINGTER
Verpackung/Case	TO-220
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.173nF@25V
Typ	1 N-channel
Konfiguration	-
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.5V
Gate-Ladung (Qg)	41.1nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	18A
Rückübertragungskapazität (Crss)	67pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Pd - Verlustleistung	100W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	140mΩ@10V,9A

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