EVVO EV-IRFR3410-T1

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	EVVO
Verpackung/Case	TO-252
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.964nF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.2V
Gate-Ladung (Qg)	20nC@80V
Dauerstrom Drain (Id)	30A
Rückübertragungskapazität (Crss)	74pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	42W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	48mΩ@10V,10A

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