Fuji Electric FMH23N50E

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Fuji Electric
Verpackung/Case	-
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	5.25nF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3.5V
Gate-Ladung (Qg)	139.5nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	23A
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
Pd - Verlustleistung	315W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	0.245Ω@10V,11.5A

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