Tokmas FQD2N100TM

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Tokmas
Verpackung/Case	TO-252
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	380pF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2V
Gate-Ladung (Qg)	15nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	2A
Rückübertragungskapazität (Crss)	4pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V
Pd - Verlustleistung	85W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	7.8Ω@10V,1A

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