KTP FQD3N50XD

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	KTP
Verpackung/Case	TO-252
Operating Temperature	-
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	625pF@25V
Typ	1 N-channel
Konfiguration	-
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2V
Gate-Ladung (Qg)	18nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	5A
Rückübertragungskapazität (Crss)	15pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
Pd - Verlustleistung	50W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	2.4Ω@10V,2.5A

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