HL(Haolin Elec) HB2N60

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HL(Haolin Elec)
Verpackung/Case	TO-262
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	249.5pF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3V
Gate-Ladung (Qg)	11nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	2A
Rückübertragungskapazität (Crss)	4.2pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Pd - Verlustleistung	25W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	3.5Ω@10V,1A

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