HUAKE HCD65R260

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUAKE
Verpackung/Case	TO-252
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.1nF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Gate-Ladung (Qg)	34.2nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	15A
Rückübertragungskapazität (Crss)	20pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	119W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	220mΩ@10V,7.5A

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