HUAKE HCF60R150

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUAKE
Verpackung/Case	TO-220F
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.48nF@100V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Gate-Ladung (Qg)	50nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	24A
Rückübertragungskapazität (Crss)	4.8pF@100V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Pd - Verlustleistung	58W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	130mΩ@10V,12A

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