HUAKE HCF65R360

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUAKE
Verpackung/Case	TO-220F
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	615pF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Gate-Ladung (Qg)	23.1nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	11A
Rückübertragungskapazität (Crss)	40pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	35W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	330mΩ@10V,5.5A

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