High Diode HD2301

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	High Diode
Verpackung/Case	SOT-23
Operating Temperature	-
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	405pF@10V
Typ	1 piece P-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	400mV
Gate-Ladung (Qg)	12nC@2.5V
Dauerstrom Drain (Id)	2.3A
Rückübertragungskapazität (Crss)	55pF@10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Pd - Verlustleistung	350mW
Durchlasswiderstand (RDS(on))	140mΩ@2.5V,2A

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