HUAKE HST50N10

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUAKE
Verpackung/Case	TO-220C
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.28nF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.5V
Gate-Ladung (Qg)	24nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	50A
Rückübertragungskapazität (Crss)	43pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	90W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	13mΩ@10V,25A

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