HUAYI HY3410P

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUAYI
Verpackung/Case	TO-220FB
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Gate-Ladung (Qg)	130nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	140A
Rückübertragungskapazität (Crss)	490pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	285W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	-

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