Infineon Technologies IRF6674TRPBF

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Infineon Technologies
Verpackung/Case	DirectFET
Operating Temperature	-40℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.35nF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4.9V
Gate-Ladung (Qg)	36nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	13.4A;67A
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Pd - Verlustleistung	3.6W;89W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	-

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