MATSUKI ME08N20

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	MATSUKI
Verpackung/Case	TO-252-3
Operating Temperature	-
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	-
Typ	1 N-channel
Konfiguration	-
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	-
Gate-Ladung (Qg)	-
Dauerstrom Drain (Id)	9A
Rückübertragungskapazität (Crss)	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Pd - Verlustleistung	-
Durchlasswiderstand (RDS(on))	-

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