onsemi NGTB40N135IHRWG

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	IGBT-Transistoren / Module
Hersteller	onsemi
Verpackung/Case	TO-247-3
Gate-Emitter-Schwelle (Vge(th))	-
Operating Temperature	-40℃~+175℃@(Tj)
Eingangskapazität (Cies)	-
Ausschaltverzögerung (Td(off))	250ns
Gate-Ladung (Qg)	234nC
Ausschaltenergie (Eoff)	1.3mJ
Kollektorstrom (Ic)	80A
Pd - Verlustleistung	394W
Einschaltverzögerung (Td(on))	-
IGBT-Typ	FS(Field Stop)
Einschaltenergie (Eon)	-
Durchbruchspannung Kollektor-Emitter (Vces)	1350V

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