onsemi NSS60200LT1G

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	onsemi
Verpackung/Case	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Transitfrequenz (fT)	100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	60V
DC Current Gain	150@500mA,2V
Kollektorstrom (Ic)	2A
Sättigungsspannung VCE(sat)	170mV
Transistortyp	PNP
Pd - Verlustleistung	460mW
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	100nA

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