onsemi NTMS4807NR2G

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	onsemi
Verpackung/Case	SOIC-8
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	2.9nF@24V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3V
Gate-Ladung (Qg)	24nC@4.5V
Dauerstrom Drain (Id)	14.8A
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Pd - Verlustleistung	860mW
Durchlasswiderstand (RDS(on))	6.1mΩ@10V,14.8A

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