orisilicon OSM45N10

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	orisilicon
Verpackung/Case	TO-252
Operating Temperature	-40℃~+125℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.02nF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.2V
Gate-Ladung (Qg)	19nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	45A
Rückübertragungskapazität (Crss)	40pF@50V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Durchlasswiderstand (RDS(on))	14mΩ@10V,20A

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