U-NIKC P1006BD

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	U-NIKC
Verpackung/Case	TO-252-2
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.92nF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.3V
Gate-Ladung (Qg)	42nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	66A
Rückübertragungskapazität (Crss)	140pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Pd - Verlustleistung	-
Durchlasswiderstand (RDS(on))	10mΩ@10V,20A

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