PN Junction Semiconductor P3M06060L8

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	PN Junction Semiconductor
Verpackung/Case	-
Operating Temperature	-
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.4V
Dauerstrom Drain (Id)	37A
Rückübertragungskapazität (Crss)	8.3pF@400V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	156W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	79mΩ@15V,20A

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