Potens PDP3960

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Potens
Verpackung/Case	TO-220
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	8nF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.5V
Gate-Ladung (Qg)	75nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	176A
Rückübertragungskapazität (Crss)	800pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Pd - Verlustleistung	168W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	3mΩ@10V,30A

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