Nexperia PMGD780SN,115

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Nexperia
Verpackung/Case	SOT-363
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	23pF@30V
Typ	2 N-Channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.5V
Gate-Ladung (Qg)	1.05nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	0.49A
Rückübertragungskapazität (Crss)	3.5pF@30V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Pd - Verlustleistung	0.41W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	920mΩ@10V,0.3A

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