REASUNOS RSM120080Z

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	SiC-MOSFETs
Hersteller	REASUNOS
Verpackung/Case	TO-247-4
Kontinuierlicher Drainstrom	36A
Schwellenspannung G-S	2.4V
Pd - Verlustleistung	166W
Operating Temperature	-40℃~+150℃
Kanaltyp	1 N-channel
Qg - Gesamtladung	79nC
Drain-Source Durchbruchspannung	1200V
Ciss - Eingangskapazität	1475pF
Crss - Rückübertragungskapazität	11pF
Durchlasswiderstand (RDS(on))	80mΩ@20V

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