High Diode S8050

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	High Diode
Verpackung/Case	SOT-23
Operating Temperature	-
Transitfrequenz (fT)	150MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	25V
Kollektorstrom (Ic)	500mA
Sättigungsspannung VCE(sat)	600mV
Transistortyp	NPN
Pd - Verlustleistung	300mW
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	100nA

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