SINO-IC SE200100G

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	SINO-IC
Verpackung/Case	TO-247
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	9382pF@50V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Gate-Ladung (Qg)	150.9nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	100A
Rückübertragungskapazität (Crss)	206pF@50V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Pd - Verlustleistung	400W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	11.5mΩ@10V,50A

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