Sichainsemi SG1M160120J

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	SiC-MOSFETs
Hersteller	Sichainsemi
Verpackung/Case	TO-263-7L
Kontinuierlicher Drainstrom	21A
Schwellenspannung G-S	2.8V
Pd - Verlustleistung	120W
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Kanaltyp	1 N-channel
Qg - Gesamtladung	25.4nC
Drain-Source Durchbruchspannung	1200V
Ciss - Eingangskapazität	617pF
Crss - Rückübertragungskapazität	1.4pF
Durchlasswiderstand (RDS(on))	160mΩ@15V

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