TDSEMIC SS8050 Y1

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Bipolartransistoren (BJT)
Hersteller	TDSEMIC
Verpackung/Case	SOT-23
Transitfrequenz (fT)	100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)	25V
DC Current Gain	400@100mA,1V
Kollektorstrom (Ic)	1.5A
Sättigungsspannung VCE(sat)	500mV
Transistortyp	NPN
Pd - Verlustleistung	300mW
Kollektor-Sperrstrom (Icbo)	100nA

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