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Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CMJ

Hersteller-Teilenummer:

SVF7N65CMJ

Hersteller:

Hangzhou Silan Microelectronics

Verpackung/Case:

TO-251-3

Datenblatt:

SVF7N65CMJ

Beschreibung:

650V 7A 90W 1.1Ω@10V,3.5A 4V 1 N-channel TO-251-3 MOSFETs ROHS

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Spezifikationen

Produktdetails

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Hangzhou Silan Microelectronics
Verpackung/Case	TO-251-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	789pF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Gate-Ladung (Qg)	21.2nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	7A
Rückübertragungskapazität (Crss)	9pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	90W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	1.1Ω@10V,3.5A

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