Samwin SWN4N80D

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Samwin
Verpackung/Case	TO-251N
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	679pF
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.5V
Gate-Ladung (Qg)	19nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	4A
Rückübertragungskapazität (Crss)	9.5pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Pd - Verlustleistung	22W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	3.2Ω@10V,2A

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